SiC Coated Graphite Barrel Susceptor

Hauv kev tsim cov khoom siv sib xyaw ua ke niaj hnub no—tshwj xeeb tshaj yog SiC thiab GaN epitaxy—qhov zoo ntawm qhov chaw sov hauv lub reactor ncaj qha txiav txim siab qhov sib xws, qhov ceev ntawm qhov tsis xws luag, thiab qhov rov ua dua ntawm cov yeeb yaj kiab epitaxial. Semixlab's SiC Coated Graphite Barrel Susceptor tau tsim los ua kom tau raws li qhov yuav tsum tau ua ntawm cov reactors CVD kub siab siv hauv kev tsim khoom siv hluav taws xob dav dav. Los ntawm kev sib xyaw ua ke graphite purity siab nrog SiC txheej txheem tsim tshwj xeeb, lub susceptor xa cov thermal uniformity zoo heev, kev ruaj khov tshuaj lom neeg, thiab kev ntseeg siab rau txhua yam khoom siv thoob plaws lub sijhawm ntev, cov txheej txheem epitaxial kub siab.

Lub hauv paus ntawm nws qhov kev ua tau zoo yog Semixlab lub qauv txheej txheem tshwj xeeb, uas ua rau kom muaj kev emissivity thiab thermal responsiveness tseem ceeb rau kev tswj qhov kub thiab txias ntawm wafer. Lub txheej SiC ua haujlwm ua ib qho kev thaiv tsis pub muaj tshuaj lom neeg tiv thaiv cov tshuaj chlorine corrosive uas feem ntau siv hauv SiC epitaxy, tiv thaiv kev puas tsuaj ntawm graphite thiab tshem tawm qhov chaw tseem ceeb ntawm cov khoom me me. Kev tiv thaiv no ua kom muaj qib kev ua qias tuaj tsawg heev thiab pab tswj kom muaj ib puag ncig huv si txawm tias nyob rau hauv cov txheej txheem ua haujlwm hnyav tshaj 1500 ° C. Lub geometry ntawm lub thoob tau zoo tshaj plaws los tsim kom muaj qhov chaw ruaj khov thiab sib npaug ntawm cov roj ntws thoob plaws ntau lub wafers, txo cov kev hloov pauv ntawm cov ciam teb thiab ua kom muaj cov zaj duab xis zoo heev thiab kev sib npaug ntawm cov tshuaj hauv ntau lub wafer epitaxial reactors.

Los ntawm qhov kev ntseeg siab ntawm cov khoom siv kho tshuab, Semixlab's SiC coated susceptor khaws cia qhov kev ua tiav ntawm cov qauv thoob plaws cov voj voog thermal rov ua dua thiab cov khoom siv wafer loj. Lub thickness ntawm cov txheej txheem engineered, cov qauv micro-crystalline SiC, thiab kev sib raug zoo thermal-expansion nrog cov graphite substrate ua haujlwm ua ke los txo qhov hnav ntawm qhov chaw thiab tiv thaiv cov khoom me me poob rau lub sijhawm ua haujlwm ntev. Qhov no pab ncaj qha rau cov txiaj ntsig siab dua thiab txo qhov zaus txij nkawm rau cov cuab yeej epitaxy.

Rau cov tuam txhab uas tab tom nthuav dav kev tsim khoom siv hluav taws xob SiC, lub susceptor ua haujlwm ua lub luag haujlwm tseem ceeb rau kev ua kom zoo li qub. Nws ua kom cov wafer kub faib ruaj khov, tswj kev sib txuas thermal, tiv thaiv cov substrates los ntawm kev ua qias tuaj tsis xav tau, thiab txhawb nqa qhov chaw ua haujlwm rov ua dua, sib xws. Los ntawm kev sib xyaw ua ke ntawm kev ruaj khov, kev huv, thiab kev ua haujlwm thermal precision, Semixlab's Barrel Susceptor pab cov chaw tsim khoom ua tiav kev tswj hwm cov txheej txheem nruj dua, kev ua haujlwm hluav taws xob zoo dua ntawm cov khaubncaws sab nraud povtseg epitaxial, thiab kev ntseeg siab dua ntawm SiC MOSFETs, diodes, thiab cov modules fais fab.

Tsim los kom sib xws nrog cov platforms SiC epitaxy ntsug thiab kab rov tav loj, Semixlab SiC Coated Graphite Barrel Susceptor yog qhov zoo tagnrho rau cov kab ntau lawm uas nrhiav cov khoom siv ntev thiab kev ua tau zoo kwv yees tau. Txhua chav tsev yog tsim los ntawm cov khoom siv nruj thiab cov qauv ntsuas qhov tseeb, ua kom muaj kev ua tau zoo sib xws thoob plaws cov pawg. Nrog Semixlab txoj kev txawj ntse hauv cov ntaub ntawv siab heev thiab kev tsim cov txheej txheem semiconductor, cov khoom muab cov fabs nrog cov kev daws teeb meem ntseeg tau, ua pov thawj los ntawm cov txheej txheem uas txhawb nqa kev txhim kho ntsuas tau hauv kev xa khoom, kev sib xws ntawm wafer, thiab lub sijhawm ua haujlwm ntawm cov cuab yeej - daws ob qho tib si kev xav tau kev ua haujlwm hauv kev lag luam thiab kev txiav txim siab txog tus nqi ntev.